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STD724T4

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 30V 3A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,STD724T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STD724T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STD724T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的NPN型双极性功率晶体管(BJT),采用表面贴装型DPak(TO-252-3)封装。该器件基于成熟的硅基工艺构建,其核心架构旨在提供稳健的电流放大与开关控制能力,集电极-发射极击穿电压(VCEO)最高可达30V,连续集电极电流(IC)额定值为3A,使其能够胜任中等功率水平的电路应用。

在功能特性上,该晶体管展现了良好的电气性能。其直流电流增益(hFE)在1A集电极电流和2V集电极-发射极电压条件下,最小值达到80,确保了有效的电流放大。作为开关应用时,在150mA基极电流和3A集电极电流的测试条件下,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值仅为1.1V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。此外,其集电极截止电流(ICEO)最大值为100A,体现了良好的关断特性。高达100MHz的跃迁频率使其也能应对一定频率范围的信号放大需求。

在接口与参数方面,该器件采用标准的DPak三引脚(发射极、基极、集电极)封装,其中金属接片通常与集电极内部连接,兼作散热路径,这对于其最大功耗15W的散热管理至关重要。其工作结温(TJ)最高可至150°C,提供了较宽的安全工作温度范围,增强了在苛刻环境下的可靠性。用户可通过ST授权代理获取详细的技术规格书与设计支持。

基于其参数特性,STD724T4适用于多种需要中功率开关或线性放大的场景。典型应用包括开关电源中的初级侧开关、电机驱动电路中的预驱动器或小型电机控制、音频放大器的输出级,以及各类线性稳压器和电子负载中的电流控制元件。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定设计中,它依然是一个经过验证的可靠选择。

  • 型号:STD724T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 30V 3A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.1V @ 150mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大值:15 W
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 想获取STD724T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD724T4 是意法半导体推出的一款NPN型双极性功率晶体管,采用表面贴装的DPak(TO-252-3)封装。该器件核心规格包括30V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流,适用于中功率应用。

其关键电气参数表现均衡:在1A/2V条件下直流电流增益(hFE)最小值为80,确保了良好的放大能力;作为开关时,饱和压降(VCE(sat))在3A电流下典型值仅为1.1V,有利于降低导通损耗。此外,器件支持最高15W的功耗和150°C的工作结温,具备可靠的功率处理能力。

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