STI6N90K5

STI6N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于独特的单元结构和专利的栅极设计，有效控制了电荷分布与电场强度，从而在900V的高漏源电压（Vdss）下，依然能保持优异的开关性能和可靠性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

在功能表现上，这款MOSFET的突出特性体现在其高效的功率处理能力上。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）可达6A，最大功率耗散为110W，展现了强大的电流承载与散热潜力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为1.1欧姆，这一低导通损耗特性对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，并支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕且稳健的驱动窗口，增强了系统设计的灵活性和抗干扰能力。

该器件采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，便于在功率板上进行可靠的焊接与热管理。其工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要高性能、高可靠性功率开关解决方案的设计工程师而言，通过正规的ST芯片代理渠道获取此器件，是保障供应链稳定与产品品质的重要一环。

基于其900V的高耐压和MDmesh K5技术带来的低损耗优势，STI6N90K5非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS），如服务器电源、工业电源和LED驱动。此外，它在功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及不同断电源（UPS）等高压功率转换和开关应用中，也能作为核心开关元件，有效提升系统的能效等级和功率密度，满足现代电力电子设备对节能与小型化的双重需求。

• 型号:STI6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STI6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高开关频率应用，其核心优势在于900V的漏源击穿电压（Vdss）与低至1.1欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这有助于在开关电源等应用中显著降低导通损耗，提升整体能效。

该MOSFET在壳温25°C下可支持6A的连续漏极电流，最大功率耗散为110W，并采用坚固的I2PAK通孔封装以优化散热。其宽泛的栅极驱动电压范围（±30V）和高达150°C的工作结温，确保了在复杂工业环境下的驱动可靠性与运行稳定性，是一款面向高效功率转换设计的稳健选择。