STD7NM50N-1

STD7NM50N-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为需要高耐压和中等电流处理能力的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过改进的垂直沟道设计，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通损耗，这得益于其第二代超级结（Super Junction）技术，有效提升了功率转换效率。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温（Tc）下，连续漏极电流（Id）额定值为5A，提供了稳健的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和2.5A电流条件下最大值为780毫欧，较低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗和发热。此外，栅极总电荷（Qg）典型值较低，在10V Vgs下最大为12nC，这有助于降低开关损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，该器件栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容（Ciss）在50V Vds下最大为400pF，结合较低的Qg，共同决定了快速的开关响应。器件的最大功率耗散为45W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要获取此型号技术资料、样品或进行批量采购的工程师，可以通过官方授权的ST代理商渠道进行咨询。需要注意的是，该产品目前状态为停产，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期状态。

基于其500V的耐压、5A的电流能力以及优化的开关特性，STD7NM50N-1非常适用于一系列中功率离线式开关应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换部分。其I-PAK封装形式兼顾了散热性能与通孔安装的机械可靠性，使其在工业控制、家用电器和辅助电源模块等领域的功率级设计中曾是一个经典的选择。

• 型号:STD7NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD7NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh II技术，封装形式为I-PAK。该器件核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其关键电气特性表现为较低的导通电阻（Rds(on)最大值780mΩ @ 10V, 2.5A）与栅极电荷（Qg最大值12nC @ 10V），这有助于实现高效率的功率转换与较低的开关损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的环境。请注意，该产品目前已处于停产状态。