STD7NM80-1

STD7NM80-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。这种架构使其在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，其800V的漏源击穿电压（Vdss）为离线电源和工业应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。

得益于MDmesh技术的优势，该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更优的能效表现。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过精心优化，有助于简化驱动电路设计，并提升开关速度，从而降低开关过程中的功率损耗。器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大结温（Tj）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作能力。用户可通过官方授权的ST代理渠道获取详细的技术支持与供货信息。

在电气参数方面，25°C下连续漏极电流（Id）额定值为6.5A，结合其1.05欧姆的最大导通电阻，使其能够高效处理中功率级别的能量转换。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则保证了驱动电路的鲁棒性。这些特性共同构成了一个在性能与可靠性之间取得平衡的高压开关解决方案。

该器件典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主逆变级、工业电机驱动的辅助电源、照明镇流器以及不同断电源（UPS）系统。其高耐压和优化的动态特性使其非常适合用于反激、正激等拓扑结构，是工程师在设计高效、紧凑型高压功率转换方案时的一个经典选择。

• 型号:STD7NM80-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STD7NM80-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD7NM80-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）与6.5A连续漏极电流（Id），采用通孔I-PAK封装，专为要求高耐压与可靠性的应用而设计。

其技术亮点在于较低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg），这有助于提升开关电源的效率并简化驱动设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其参数组合，包括150°C的最大结温（Tj）和90W的功率耗散能力，使其在工业电源、电机控制等中高压功率开关领域曾是一个经过验证的解决方案。