STD95NH02LT4

STD95NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在紧凑的DPAK封装内实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡，旨在为高效率、高功率密度的开关应用提供核心的功率开关解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、40A电流条件下典型值仅为5毫欧，这直接转化为导通状态下极低的功率损耗和温升。同时，其栅极总电荷（Qg）在5V驱动下最大值仅为17nC，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关特性和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率并简化栅极驱动电路的设计。其漏源击穿电压（Vdss）为24V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达80A，最大功率耗散为100W，展现了强大的电流处理与散热能力。

在接口与参数方面，STD95NH02LT4设计为表面贴装型，采用标准的DPAK（TO-252）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V，提供了良好的设计余量。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

凭借其高电流能力、低导通损耗和快速开关速度，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的DC-DC转换场景，如同步整流、负载点（POL）转换器以及电机驱动中的低侧开关。它也是各类电源管理模块、电池保护电路和电动工具中功率开关部分的理想选择，尤其适合在12V或24V总线系统中作为主开关或同步整流元件，有效提升系统能效和功率密度。

• 型号:STD95NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD95NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，核心规格包括24V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻与栅极电荷。在10V Vgs、40A Id条件下，其导通电阻最大值仅为5毫欧，有效降低了导通损耗。同时，5V驱动下的最大栅极电荷仅为17nC，这确保了器件具备快速的开关响应，有助于提升开关电源的整体效率并降低驱动电路复杂度。这些特性使其成为高效率、高密度DC-DC转换和电机驱动应用的优选功率开关解决方案。