STP5NK80Z

STP5NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与高阻断电压的良好平衡。其核心架构旨在降低导通损耗和开关损耗，同时确保在高电压应力下的长期可靠性，为高效功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为4.3A，结合仅2.4Ω（典型条件下）的导通电阻，有效降低了导通状态下的功率损耗。其栅极驱动特性经过优化，阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，标准10V驱动电压下栅极总电荷（Q_g）典型值较低，这有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

在电气接口与参数方面，STP5NK80Z采用标准的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（T_J）可达150°C。器件支持±30V的栅源电压（V_GS），提供了较高的噪声裕度，增强了系统在复杂电磁环境中的鲁棒性。其输入电容（C_iss）等动态参数也经过控制，有利于实现更平滑的开关波形和降低电磁干扰（EMI）。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装特性，该器件非常适用于要求严苛的离线式开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制系统的功率级设计。在这些应用场景中，它能够作为主开关管或辅助开关，有效提升整机效率与功率密度，是工程师实现高效、紧凑型高压功率解决方案的可靠选择。

• 型号:STP5NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（V_DSS）和4.3A连续漏极电流（I_D），采用TO-220AB通孔封装，适用于高可靠性要求的通孔安装场景。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与高开关性能的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为2.4Ω，有助于显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）和电容参数确保了快速的开关切换，有利于提升系统效率并简化驱动设计。这些特性使其成为工业级开关电源、功率因数校正（PFC）及电机控制等高压应用中功率开关部分的理想器件。