STH185N10F3-6

STH185N10F3-6是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET，采用先进的STripFET F3技术平台构建。该器件采用N沟道设计，核心架构基于优化的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热能力，确保在高温环境下稳定工作，其紧凑的表面贴装形式也满足了现代高密度汽车电子设计的空间要求。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流处理能力与低损耗表现。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达180A，而导通电阻在10V驱动电压、60A电流下典型值仅为4.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在114.6nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，对于高频开关应用尤为重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达315W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关产品信息与供应链服务。

在电气参数方面，STH185N10F3-6的漏源电压额定值为100V，适用于常见的48V或以下总线电压系统。其栅源电压最大耐受值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。阈值电压最大值为4V，具备良好的抗干扰能力。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案，尤其注重在高温和高电流应力下的长期稳定性。

基于其高电流能力、低导通电阻和车规级可靠性，该器件主要面向要求严苛的汽车动力总成与底盘系统。典型应用包括电机驱动（如电动助力转向、电子水泵/油泵）、DC-DC转换器（尤其是在48V轻度混合动力系统中）以及电池管理系统的负载开关。其设计充分考虑了汽车应用中对效率、功率密度和耐久性的核心需求，是构建下一代高能效、高可靠性汽车电力电子系统的关键组件之一。

• 型号:STH185N10F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 想获取STH185N10F3-6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH185N10F3-6是ST意法半导体推出的一款车规级N沟道功率MOSFET，隶属于Automotive, AEC-Q101, STripFET F3产品系列。该器件采用H2PAK-6封装，专为高功率密度和高可靠性应用而设计。

其核心电气参数表现出色，具备100V的漏源电压（Vdss）和高达180A（Tc）的连续漏极电流处理能力。关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅4.5毫欧（@60A），这能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为114.6nC，有利于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，符合汽车电子AEC-Q101标准，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，主要面向汽车领域的电机驱动、电源转换等高要求应用场景。