STY105NM50N

STY105NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的单位面积导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心在于通过改进的单元结构和工艺技术，显著降低了栅极电荷和内部电容，从而在维持高击穿电压的同时，提升了开关频率和整体能效。这种架构使其特别适用于对效率和功率密度有严苛要求的现代功率转换系统。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压高达500V，为离线式开关电源、功率因数校正等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值可达110A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、52A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为22毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极总电荷Qg典型值为326nC，结合9600pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于优化高频开关电源的设计。

在接口与参数方面，该器件采用通孔形式的MAX247封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为625W。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备一定的噪声免疫能力，而栅源电压最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全范围。工作结温范围为-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借高电压、大电流、低导通电阻和快速开关的综合优势，STY105NM50N非常适合应用于工业级开关电源、不间断电源、电机驱动、电焊机以及太阳能逆变器等中高功率领域。它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，最终帮助设计者实现更紧凑、更高效的功率解决方案。

• 型号:STY105NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 52A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:326 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STY105NM50N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STY105NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压和110A的连续漏极电流处理能力，为高功率应用提供了坚实的基础。

其关键技术卖点在于极低的导通电阻，在10V驱动下典型值仅为22毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速的开关特性，有助于提升系统效率与功率密度。该器件采用通孔封装，适用于要求高可靠性和高效散热的工业级电源与电机驱动系统。