STD9N60M2

STD9N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。这种架构的核心在于其精细的单元密度和创新的电荷平衡技术，有效降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。其表面贴装型DPAK封装不仅提供了良好的热性能，也便于在紧凑的PCB空间内进行自动化装配。

该MOSFET具备600V的高漏源击穿电压，确保了在高压应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为5.5A，而导通电阻在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为780毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷(Qg)典型值低至10nC，这显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得开关频率可以更高，系统响应更快。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动设计余量，而150°C的最大结温则保证了其在严苛环境下的稳定工作。

在接口与参数方面，STD9N60M2的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其输入电容(Ciss)在100V漏源电压下最大为320pF，较低的电容值有助于简化栅极驱动电路的设计。该器件在功率转换拓扑中表现出色，尤其适用于需要高效率和高功率密度的场合，例如开关电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路和DC-DC转换器的主开关或同步整流部分。它也广泛应用于照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及消费类电子产品的适配器中。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:STD9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 想获取STD9N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括600V的漏源电压和5.5A的连续漏极电流，为高压中等电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，导通电阻低至780毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷(10nC)确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正和各类功率转换拓扑中主开关或同步整流功能的理想选择。