STP30NM50N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP30NM50N是一款采用先进MDmesh II技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。这种架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。它具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达27A，支持大电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、13.5A漏极电流条件下典型值仅为115毫欧，这意味着在导通期间的功率损耗被降至极低水平。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为94nC，配合±25V的宽栅源电压范围，使得开关过程快速且驱动电路设计更为灵活，有助于提升系统整体开关频率和效率。

在接口与热管理方面，STP30NM50N采用经典的TO-220-3通孔封装，便于安装散热器以实现有效的热管理。其最大功率耗散能力在壳温条件下为190W，结合高达150°C的结温（Tj）工作范围，赋予了其强大的过载和高温工作鲁棒性。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品的详细信息、库存及设计资源。

凭借高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于要求严苛的工业与消费类电源领域。其典型应用场景包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）、高效率照明镇流器、电机驱动控制器以及不同断电源（UPS）系统的功率级设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的MDmesh II技术，使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要的参考价值和应用地位。

• 型号:STP30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP30NM50N是ST意法半导体基于MDmesh II技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件核心特性在于其500V的漏源电压（Vdss）和27A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至115毫欧，能有效降低传导损耗；同时，最大94nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关性能，有助于提升电源系统的整体效率和功率密度。这些参数使其成为工业电源、PFC电路和电机驱动等应用中功率开关部分的可靠选择。