L6384E

ST意法半导体推出的L6384E是一款设计用于驱动半桥拓扑中N沟道功率MOSFET或IGBT的高压栅极驱动器IC。该器件采用经典的半桥驱动架构，内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高侧和低侧开关管。其核心优势在于集成了自举二极管功能，通过一个外部电容即可为高侧驱动电路提供浮动电源，极大地简化了高压侧供电设计。芯片内部集成了完善的逻辑控制、电平移位和保护电路，确保了在复杂功率开关应用中的可靠性与稳定性。

在功能特性上，L6384E具备出色的驱动性能，其拉电流和灌电流能力分别达到650mA和400mA，配合典型值仅为50ns和30ns的快速上升与下降时间，能够有效降低开关损耗并优化EMI表现。其输入逻辑采用反相设计，兼容标准的微控制器逻辑电平（VIL=1.5V， VIH=3.6V），便于系统集成。该器件专为严苛环境设计，工作结温范围宽达-45°C至125°C，并具备高达600V的绝对最大高侧浮地电压能力，提供了充足的设计裕量。其通孔8-DIP封装形式也便于在原型设计或特定工业应用中进行焊接和测试。

从接口与电气参数来看，该驱动器需要一个14.6V至16.6V的单电源为低侧电路供电，高侧电源则通过自举电路产生。这种设计使其非常适合在电机控制、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）等需要高效半桥或全桥拓扑的场合中作为核心驱动元件。尽管该型号目前已处于停产状态，但在许多现有设备和备件市场中仍有需求，用户可通过正规的ST授权代理渠道咨询库存或替代方案信息。其稳健的设计使其在过去广泛应用于工业自动化、家电变频驱动等领域，展现了ST在高压驱动技术方面的深厚积累。

• 型号:L6384E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
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L6384E是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-DIP通孔封装，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而优化。该器件集成了自举二极管，简化了高侧供电设计，其峰值输出电流能力达650mA（拉）和400mA（灌），并具备极快的开关速度（上升/下降时间典型值为50ns/30ns），能有效提升功率转换效率。

该驱动器支持高达600V的高侧浮地电压，工作结温范围覆盖-45°C至125°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。其反相输入逻辑兼容标准微控制器接口，主要面向电机驱动、开关电源和UPS等需要半桥拓扑的工业与消费类电源管理应用。