STDLED623

STDLED623是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准的表面贴装DPAK中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的良好平衡。该器件内部集成了一个快速恢复体二极管，有助于在开关应用中处理感性负载产生的反向能量，提升系统的可靠性。

该器件的一个显著特点是其高达620V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电网电压波动和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值为3A，结合仅3.6欧姆的最大导通电阻(Rds(on))（测试条件为Vgs=10V, Id=1.1A），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，10V的驱动电压即可确保完全开启，且最大栅极电荷(Qg)仅为15.5nC，这有助于降低驱动电路的损耗并实现更快的开关速度，适用于高频开关场合。

在接口与参数方面，STDLED623的栅源电压(Vgs)最大可承受±30V，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容(Ciss)在Vds=50V时最大值为350pF，较低的电容值有利于减少开关过程中的米勒效应，进一步优化开关性能。器件最大结温(Tj)为150°C，在DPAK封装下可实现高达45W的功率耗散能力，确保了在紧凑空间内的散热可靠性。如需获取官方技术支持和样品，可通过授权的ST代理进行咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、LED照明驱动以及电机控制等场景。在这些应用中，它能够作为高效的功率开关元件，帮助系统设计师实现高功率密度和高可靠性的电源解决方案。

• 制造商产品型号：STDLED623
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
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STDLED623是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为3.6欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷(15.5nC)和输入电容(350pF)确保了快速的开关响应，适合高频开关电源设计。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的离线电源、LED驱动及电机控制应用的理想选择。