STDLED627

STDLED627是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件基于优化的单元结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，其核心架构确保了在开关应用中的高效能和可靠性。其表面贴装型DPAK封装不仅提供了良好的散热性能，也适应了现代电子设备对高功率密度和小型化的普遍需求。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。620V的高漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰，为系统提供了宽裕的安全裕量。在导通特性方面，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.8A电流条件下仅为1.2欧姆，这一低导通损耗特性直接转化为更低的通态功耗和更高的整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）为35nC，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的损耗并实现快速的开关转换，这对于高频开关电源和电机驱动等应用至关重要。

在接口与参数方面，STDLED627的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了其抗干扰能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达7A，最大功耗为90W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了器件强大的过载能力和鲁棒性。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的用户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料、应用支持及供应链服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STDLED627非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动、电机控制以及各类AC-DC转换器。在这些应用中，它能够有效提升能效，减小系统体积，并确保长期运行的稳定性。

• 制造商产品型号：STDLED627
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
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STDLED627是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。其核心电气参数定义了其在高效功率开关应用中的优势地位。

该器件具备620V的高漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）能力，为高压中等电流应用提供了坚实的基础。关键特性在于其优异的导通性能，在10V驱动电压下，最大导通电阻低至1.2欧姆，配合仅35nC的栅极电荷，共同确保了低导通损耗与快速的开关速度，有助于提升整体系统的能效和功率密度。