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STDRIVE601TR的图片

STDRIVE601TR

ST图标
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC HALF BRIDGE DRIVER 28SO
原厂封装:封装:28-SO
优势价格,STDRIVE601TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STDRIVE601TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STDRIVE601TR是一款由ST意法半导体推出的三相半桥高压栅极驱动器,专为高效、可靠的功率开关应用而设计。该器件集成了三个独立的半桥通道,每个通道能够驱动一个高侧和一个低侧功率开关管,例如功率MOSFET或IGBT。其核心架构基于成熟的高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺,将逻辑控制、电平转换、驱动放大和保护电路高度集成于单芯片内。这种设计不仅简化了外部电路,还显著提升了系统的抗干扰能力和可靠性,使其成为复杂电机驱动和功率转换系统的理想选择。

该驱动器具备多项关键功能特性以保障系统稳定运行。其内部集成了自举电路,为每个高侧驱动器通道生成浮动电源,从而简化了高压侧供电设计,减少了外部元件数量。在保护机制方面,芯片提供了全面的故障检测与关断功能,包括过流保护(OCP)超温关断(TSD)以及欠压锁定(UVLO)。这些保护功能在检测到异常条件时会迅速动作,将输出置为安全状态,有效防止功率器件因过应力而损坏。其逻辑与模拟混合接口提供了灵活的输入控制方式,既能兼容微控制器等数字信号,也能处理模拟控制信号,适配性广泛。

在电气参数上,STDRIVE601TR展现出强大的驱动能力与宽泛的工作范围。其供电电压(VCC)范围为9V至20V,而驱动的负载(功率开关管)可承受高达580V的电压。每个通道能提供高达350mA的峰值拉电流和灌电流,确保了功率开关管的快速导通与关断,有助于降低开关损耗。其典型导通电阻为35欧姆,有助于减少驱动级的功耗。器件采用28引脚SOIC封装,支持表面贴装(SMT),工作结温范围覆盖-40°C至125°C,满足工业级应用的严苛环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。

凭借其三相半桥的集成设计、强大的驱动能力与完善的保护功能,STDRIVE601TR主要面向需要高精度与高可靠性的电机驱动领域。它非常适合用于驱动三相无刷直流(BLDC)电机和永磁同步电机(PMSM),广泛应用于工业自动化设备、风机、泵类、家用电器以及通用逆变器系统中。其设计也适用于需要多个半桥拓扑的通用功率开关应用,为工程师提供了一个高度集成、易于使用且坚固耐用的驱动解决方案。

  • 型号:STDRIVE601TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:28-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC HALF BRIDGE DRIVER 28SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 驱动配置:-
  • 通道类型:-
  • 驱动器数:-
  • 栅极类型:-
  • 电压 - 供电:9V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:28-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:28-SO
  • 想获取STDRIVE601TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STDRIVE601TR是ST意法半导体推出的一款三相半桥高压栅极驱动器IC,属于电源管理IC中的全/半桥驱动器系列。该器件集成了三个独立的半桥驱动通道,专为驱动功率MOSFET和IGBT而优化,适用于容性与阻性负载。

其核心优势在于集成了自举电路,简化了高压侧供电设计,并具备全面的故障保护功能,包括过流、超温和欠压锁定(UVLO)保护,确保了系统运行的可靠性。器件支持9V至20V的宽供电范围,可驱动负载电压高达580V,每通道提供350mA峰值输出电流,工作温度范围为-40°C至125°C,采用28-SOIC表面贴装封装,满足工业应用的严格要求。

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