STE40NK90ZD

STE40NK90ZD是ST意法半导体基于其先进的SuperFREDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用ISOTOP封装，专为高电压、大电流的苛刻应用环境而设计，其核心架构旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。通过优化的单元结构和先进的制造工艺，该芯片在900V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达40A的连续漏极电流（Tc=25°C），同时将导通电阻（Rds(On)）控制在较低水平，有效降低了导通损耗。

该MOSFET的功能特点突出表现在其优异的开关性能与坚固性上。其栅极驱动电压为10V，在20A电流和10V栅源电压条件下，导通电阻最大值仅为180毫欧，这有助于提升系统整体效率。器件具备极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），最大值分别为826nC @ 10V和25000pF @ 25V，这显著减少了开关过程中的能量损耗，并允许更高的开关频率，从而有助于缩小外围磁性元件的尺寸。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。最大功率耗散能力为600W（Tc），结合-65°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在高温环境下的可靠运行。

在电气参数方面，STE40NK90ZD的阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 150A，提供了良好的噪声抑制能力。底座安装的ISOTOP封装不仅提供了优异的散热路径，其结构也增强了机械强度，适用于需要高可靠性的工业场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格仍代表了高压功率开关领域的一个高性能解决方案。对于需要此类器件的设计，建议通过官方授权的ST代理商咨询库存或替代产品信息。

基于其900V/40A的额定能力与高效的开关特性，该器件非常适用于要求严苛的功率转换应用。典型应用场景包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、大功率UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器中的DC-AC转换级，以及电焊机和电机驱动等高性能工业设备。在这些应用中，它能够有效处理高电压总线，实现高效、紧凑的功率级设计。

• 型号:STE40NK90ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:826 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE40NK90ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心电气规格为900V漏源电压（Vdss）和40A连续漏极电流（Tc），专为应对高功率密度设计挑战而优化。

其技术优势在于实现了低导通电阻（180mΩ @ 20A, 10V）与低栅极电荷（826nC @ 10V）的良好结合，这有助于同时降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-65°C ~ 150°C）和高达600W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在恶劣工业环境下的稳定性和可靠性。