STE48NM50

STE48NM50是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和沟槽栅技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速响应能力和高可靠性。这种设计理念使得该芯片在功率转换系统中能够显著提升效率并减少热耗散。

该器件具备多项突出的功能特性。其550V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至100毫欧（@24A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的工作效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为117nC（@10V），结合优化的内部电容特性，有助于降低开关损耗，简化驱动电路设计，并支持更高频率的开关操作，从而允许使用更小的磁性元件。

在接口与关键参数上，STE48NM50展现出强大的鲁棒性。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达48A，最大功率耗散为450W（Tc），结温（Tj）最高支持150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。器件采用坚固的ISOTOP封装，该封装专为底座安装设计，提供了优异的热性能和机械可靠性，便于将热量高效传导至散热器。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的应力，增强了系统的抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STE48NM50非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器中的DC-AC转换级、以及各类电机驱动和焊接设备中的功率开关单元。其高耐压和低损耗特性使其成为构建高效、紧凑型功率解决方案的理想选择。

• 型号:STE48NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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STE48NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压、大电流开关应用，核心参数包括550V的漏源电压（Vdss）和48A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为100毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值117nC）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用ISOTOP封装，确保了出色的热管理，最高结温达150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。