STE53NC50

STE53NC50是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的平衡。其核心优势在于显著降低了传导损耗和开关损耗，这对于提升高频开关电源等应用的效率至关重要。ISOTOP封装技术不仅确保了出色的热性能，将热量高效地从芯片结传导至散热器，还提供了卓越的电气隔离和机械可靠性。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达53A的连续漏极电流（I_D）能力，为处理高功率应用提供了坚实的电压和电流余量。其导通电阻在10V驱动电压、27A电流条件下典型值仅为80毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（V_GS）可达±30V，而阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，有助于防止误触发并增强抗噪声能力。对于开关性能至关重要的参数，如栅极总电荷（Q_g）最大值为434nC，输入电容（C_iss）最大值为11200pF，这些经过优化的值共同作用，使得开关过程快速且损耗可控，有助于简化驱动电路设计并提升系统整体频率。

在接口与热管理方面，该器件采用底座安装形式，便于与散热器紧密贴合。其最大结温（T_J）高达150°C，结合460W（壳温条件下）的功率耗散能力，赋予了系统强大的过载和高温运行鲁棒性。这些特性使其能够适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、大电流、低损耗和优异的散热特性，STE53NC50非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的工业级应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和直流-直流变换级、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换设备。在这些系统中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并提高系统的功率密度与可靠性。

• 型号:STE53NC50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:434 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
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STE53NC50是ST意法半导体推出的一款采用ISOTOP封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH II产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和53A连续漏极电流（Id），具备出色的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（80mΩ @ 27A, 10V）与优化栅极电荷（434nC @ 10V）的良好平衡，这直接转化为更低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。结合高达460W的功率耗散能力和150°C的最大结温，该器件为高可靠性、高功率密度的电源与电机驱动应用提供了理想的解决方案。