STF10LN80K5

STF10LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性与坚固性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的突出特性在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至630毫欧的导通电阻（Rds(on)）组合。在10V的栅极驱动电压下，仅需15nC的栅极电荷（Qg）即可实现快速开关，这有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。其设计确保了在高达8A的连续漏极电流（Id）下稳定工作，最大结温（Tj）可达150°C，展现了强大的功率处理能力和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）。此外，TO-220FP封装提供了良好的通孔安装机械强度和散热性能，典型功耗为25W。

在电气参数方面，STF10LN80K5的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为427pF，结合较低的Qg，共同优化了驱动电路的设计复杂度与效率。±30V的最大栅源电压（Vgs）为驱动电平提供了充足的安全裕度。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借高耐压、低导通电阻和快速开关的优良特性，这款器件非常适用于对效率和可靠性要求严苛的离线式开关电源（SMPS）应用，如服务器电源、工业电源和PC电源的PFC（功率因数校正）及主开关拓扑。它也适用于照明领域的LED驱动、电机控制中的逆变器模块以及各类需要高压开关功能的工业设备，是实现紧凑、高效能功率系统设计的理想选择。

• 型号:STF10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF10LN80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在采用先进的K5技术，实现了低至630毫欧（@10V，4A）的导通电阻与仅15nC（@10V）的栅极电荷的优异组合。这一特性使其在保证高耐压的同时，能显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景。