STF11N65M5

STF11N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220FP封装，专为高效、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通损耗与开关损耗的出色平衡，为开关电源（SMPS）和电机驱动等系统提供了坚实的性能基础。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的动态与静态特性上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为480毫欧（在4.5A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），结合644pF（@100V）的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。其高达9A的连续漏极电流（Tc）和150°C的最大结温（TJ），赋予了器件强大的电流处理能力和在高温环境下稳定工作的鲁棒性，最大功率耗散可达25W（Tc）。

在电气参数方面，STF11N65M5的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了安全的驱动裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），具备良好的噪声抑制能力。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关界面，用户可以通过ST中国代理获取详细的技术资料与设计支持。其TO-220FP封装在提供标准通孔安装便利性的同时，也兼顾了散热与空间布局的需求。

得益于其高电压、低损耗和高可靠性的特点，STF11N65M5非常适用于要求严苛的工业与消费类电子领域。典型应用包括离线式开关电源（如PC电源、适配器、LED驱动）、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动与变频器、以及不间断电源（UPS）系统中的功率级。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强系统在复杂电磁环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STF11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF11N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为650V漏源电压和9A连续漏极电流（Tc），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V驱动下，Rds(on)典型值仅为480mΩ，而栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，这共同确保了较低的传导损耗和高效的开关性能，有助于提升整体电源转换效率。此外，器件支持高达150°C的结温工作，并具备25W的功率耗散能力，展现了出色的热管理和可靠性。