STF11NM50N

STF11NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了卓越的开关性能与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了寄生电容和栅极电荷，这对于提升高频开关应用的效率至关重要。这种架构确保了在高压环境下，器件仍能保持快速、干净的开关特性，同时将传导损耗控制在较低水平。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。此外，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过优化，有助于降低栅极驱动电路的损耗，并允许使用更小、更经济的驱动IC，简化了系统设计。

在接口与参数层面，该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达8.5A，结合25W的最大功耗能力，使其能够处理可观的功率等级。其栅极阈值电压（V_GS(th)）具有典型的阈值，并与标准的逻辑电平驱动兼容，而±25V的最大栅源电压提供了稳健的驱动安全边际。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整服务的有力保障。

得益于其高压、低损耗和快速开关的特性，STF11NM50N非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业级开关电源、照明用电子镇流器、电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）的功率级。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度，降低热设计难度，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STF11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF11NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_DSS）和8.5A的连续漏极电流（I_D），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态参数上，较低的导通电阻（R_DS(on)）与经过优化的栅极电荷（Q_g）相结合，旨在实现更低的传导损耗和开关损耗。这使得该器件特别适用于追求高效率的开关电源拓扑，如反激式、正激式转换器及功率因数校正电路，能够在提升系统能效的同时保证可靠的长期运行。