STF11NM80

STF11NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元设计和工艺优化，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级应用中的高压应力和电压尖峰，确保了系统的可靠性与鲁棒性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为11A，结合低至400毫欧（典型值@10V Vgs）的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，减少发热。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值仅为43.6nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，对于高频开关应用尤为有利。选择可靠的ST芯片代理是确保获得正品器件和稳定供货的关键。

在电气参数方面，STF11NM80展现了全面的性能。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）为1630pF，与较低的Qg值共同决定了其快速的开关响应。器件支持高达±30V的栅源电压，为驱动电路提供了充足的设计余量。其封装采用TO-220FP，这是一种广泛使用的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热能力，最大功率耗散为35W（Tc），工作结温范围覆盖-65°C至150°C，适应严苛的环境要求。

凭借其高压、高效、高可靠性的特点，STF11NM80非常适用于需要高效能量管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及照明系统的电子镇流器和LED驱动。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小体积，并增强长期运行的稳定性。

• 型号:STF11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF11NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其800V的高耐压与低至400毫欧的导通电阻的出色结合，能够在高压应用中显著降低导通损耗，提升系统效率。

其额定连续漏极电流为11A（Tc），并具备低栅极电荷（43.6nC @10V）特性，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。采用TO-220FP通孔封装，散热性能良好，最大功率耗散达35W，工作结温范围宽至-65°C ~ 150°C，确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性和稳定性。