STF12NM50ND

STF12NM50ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。其核心设计目标是在高耐压条件下，显著降低开关损耗和导通损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。FDmesh II技术特有的沟槽栅极和场板结构，有效优化了电场分布，从而确保了器件在500V高漏源电压下的可靠性与坚固性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大导通电阻低至380毫欧（条件为Vgs=10V， Id=5.5A），这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，减少发热。同时，其栅极总电荷（Qg）典型值仅为30nC，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简化，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其封装采用TO-220FP，这是一种带隔离安装孔的直插式封装，便于散热器安装并实现与散热基板之间的电气隔离，提升了系统安全性与散热灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品来源可靠的重要途径。

在关键参数方面，STF12NM50ND标称连续漏极电流（Id）为11A（基于管壳温度Tc），最大功率耗散为25W（Tc），最高结温（Tj）可达150°C，这为其在连续或脉冲功率场景下的稳定工作提供了宽泛的热设计裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备一定的噪声容限。输入电容（Ciss）最大值为850pF，与其他参数共同决定了器件的动态开关特性。这些参数共同描绘出一个适用于高效率、高可靠性功率开关角色的清晰画像。

基于其500V的耐压和优异的开关性能，STF12NM50ND非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器以及电机驱动控制等应用领域。尤其在要求高效率的服务器电源、工业电源、照明驱动（如LED驱动）和家用电器电机控制等场景中，该器件能够帮助设计者实现更紧凑的布局、更高的功率密度和更优的能效表现。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有系统维护或特定设计延续中，它依然是一个经典且性能经过验证的选择。

• 型号:STF12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF12NM50ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，典型导通电阻（Rds(on)）为380mΩ @ 10V，栅极总电荷（Qg）仅为30nC @ 10V。这一特性组合有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件最高结温为150°C，最大功率耗散25W，确保了在严苛工况下的稳定运行能力。