STF13N65M2

STF13N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心架构通过精密的单元设计和工艺控制，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线开关电源（SMPS）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌电压下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，结合仅430mΩ（典型条件下）的低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够有效降低传导损耗，减少发热。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为±25V，而标准驱动电压为10V，阈值电压Vgs(th)最大为4V，这有助于简化驱动电路设计并防止误触发。

在动态性能方面，STF13N65M2展现了MDmesh M2系列的优势。栅极总电荷（Qg）在10V Vgs条件下最大值为17nC，较低的Qg值直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。同时，其输入电容（Ciss）也得到了良好控制。器件采用TO-220FP封装，这是一种带隔离金属片的通孔封装，便于安装散热器，其最大功耗为25W（Tc），结温（Tj）最高可工作于150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借高耐压、低损耗和高开关频率的潜力，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。其主要应用场景包括工业级开关电源、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动辅助电源等。在这些系统中，它能有效提升能效等级，减小磁性元件体积，助力设计出更紧凑、更可靠的电力电子解决方案。

• 型号:STF13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至430mΩ，有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗。这些特性使其非常适用于追求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及照明系统等应用领域。