STF13N95K3

STF13N95K3是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件最显著的技术优势在于其高达950V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业级开关电源、电机驱动等应用中常见的电压尖峰和应力，确保系统在恶劣电气环境下的长期可靠性。在提供高耐压能力的同时，其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、5A电流条件下典型值仅为850毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于减少发热并提升能效。此外，优化的栅极电荷(Qg)特性（典型值51nC @ 10V）与输入电容(Ciss)有助于实现快速、干净的开关动作，降低驱动电路的负担，并有效抑制开关过程中的电压过冲和振荡现象。

在电气参数方面，STF13N95K3在壳温(Tc)条件下支持高达10A的连续漏极电流，最大功率耗散为40W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，同时栅源电压(Vgs)可承受±30V的最大值，这为驱动电路设计提供了更高的鲁棒性和灵活性。器件采用坚固的TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上，以满足高功率应用的热管理需求。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛温度环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性组合，STF13N95K3非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源(UPS)的功率转换模块，以及电焊机、太阳能逆变器等设备的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度，降低运行温度，并简化热设计。

• 型号:STF13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性包括高达950V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id)，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了高耐压与低导通特性的良好结合，在10V驱动电压下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为850毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷(Qg)和开关特性确保了快速、高效的开关性能，有利于提升整体系统的能效和功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关单元的可靠选择。