STF13NK50Z

STF13NK50Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）旗下SuperMESH系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220FP通孔封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，通过优化的单元结构和制造工艺，在高压、大电流的应用环境中实现了优异的电气性能与可靠性平衡。其核心设计旨在显著降低导通损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率、减少热管理负担至关重要。

该器件具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达11A，展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下，典型值仅为480毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在很低的水平。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为47nC（@10V），结合1600pF的输入电容（Ciss），使得开关速度更快，驱动电路的设计更为简化，有助于降低开关损耗并提升工作频率。

在接口与参数方面，STF13NK50Z的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了在噪声环境下的稳定关断。器件的最大功耗为30W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于苛刻的环境条件。TO-220FP封装提供了良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以实现高效的热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借其高压、低阻、快开关的特性组合，STF13NK50Z非常适合于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、工业照明镇流器以及不间断电源（UPS）等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，增强系统功率密度和长期运行稳定性，是工程师设计高效、紧凑型功率电子系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STF13NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了500V的高耐压与11A的大电流处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化的技术实现了低至480毫欧的导通电阻（@10V, 6.5A）和仅47nC的低栅极电荷，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，有助于提升系统整体效率并简化驱动设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的可靠运行。