STP13N60M2

STP13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，通过精心设计的单元布局和掺杂工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的卓越平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，其380mΩ（典型值，条件为V_GS=10V， I_D=5.5A）的低导通电阻与仅17nC（典型值，条件为V_GS=10V）的低栅极总电荷是其高性能的基石，使得器件在高效能量转换应用中表现出色。

该MOSFET具备600V的额定漏源击穿电压（V_DSS），提供了充足的电压裕量，适用于市电整流后的高压总线环境。其栅极驱动电压（V_GS）标准为10V，阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了与主流控制器良好的兼容性和可靠的导通/关断控制。此外，其输入电容（C_iss）典型值较低，有助于减少驱动电路的负担，提升开关速度。器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，在管壳温度（T_C）条件下可支持高达110W的功率耗散和11A的连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的设计项目，通过ST授权代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的推荐途径。

在参数层面，STP13N60M2的关键特性组合使其成为对效率与可靠性有高要求设计的理想选择。低R_DS(on)直接转化为更低的导通态压降和热量产生，而低Q_G则意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。结合其高达±25V的栅源电压耐受能力，增强了器件在可能发生电压尖峰或振荡的电路中的鲁棒性。这些电气参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。

基于其性能特点，STP13N60M2广泛应用于需要高效功率转换和管理的领域。它是开关模式电源（SMPS）初级侧PFC（功率因数校正）电路和硬开关/谐振拓扑中主开关管的常见选择，尤其适用于台式电脑电源、服务器电源、工业电源及LED驱动等中高功率场合。此外，在电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及电焊机等工业设备中，其高耐压和高电流处理能力也能满足主功率开关的需求，助力系统实现更高的功率密度和整体能效。

• 型号:STP13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于优异的开关性能与低损耗特性。

该MOSFET额定漏源电压（V_DSS）为600V，在管壳温度（T_C）条件下可承受高达11A的连续漏极电流。其关键性能参数包括极低的导通电阻（R_DS(on)典型值380mΩ）和极低的栅极电荷（Q_g典型值17nC），这二者的出色结合有效降低了传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为110W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与耐用性。