STF13NM60N-H

STF13NM60N-H是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色平衡，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心架构优化了单元密度和电荷分布，有效降低了导通损耗和开关损耗，使得器件在高压、高频应用场景下仍能保持卓越的电气性能和热稳定性。

该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）高达600V，在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）可达11A，最大功率耗散为25W。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，例如在Vgs=10V、Id=5.5A时，Rds(on)最大值仅为360毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值为790pF（@50V），这共同构成了快速开关能力的基础，有助于减少开关过渡时间，提升系统整体频率响应。其栅源驱动电压（Vgs）范围为±25V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了宽裕且稳定的驱动窗口。

在封装方面，STF13NM60N-H采用TO-220FP通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于安装在散热器上以管理由功率耗散产生的热量，确保结温（Tj）在最高150°C的额定范围内稳定工作。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在当时的离线电源和功率转换领域具有代表性。对于仍在维护相关设计的工程师，通过可靠的ST芯片代理渠道获取库存或寻找官方推荐的替代型号是确保供应链连续性的关键。

得益于其高压、大电流和快速开关特性，这款器件主要面向要求高效率和高可靠性的功率电子应用。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源部分。在这些应用中，它能够有效处理高电压摆幅，实现能量的高效转换与控制，是构建紧凑、高效功率系统的核心功率开关元件之一。

• 型号:STF13NM60N-H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13NM60N-H是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，额定电压为600V，在壳温25°C下可支持11A的连续漏极电流，最大功耗为25W。

其核心电气特性在于实现了低导通损耗与低开关损耗的良好平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为360毫欧（@5.5A），同时栅极电荷（Qg）被控制在30nC以内。这些参数共同确保了器件在高压开关应用中具备高效率与快速开关性能。该MOSFET设计工作结温最高可达150°C，适用于要求严苛的功率转换环境。