STF20N60M2-EP

STF20N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在为高压开关应用提供卓越的性能与可靠性平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了栅极电荷（Qg）与输出电容（Coss）等动态参数，从而在降低导通损耗和开关损耗方面取得了显著成效。

该MOSFET具备多项关键特性，使其在高压环境中表现突出。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC线路电压应用中的高可靠性。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达13A的漏极电流（Id），提供了可观的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压下得到充分优化，结合最大仅22nC的栅极总电荷（Qg @ 10V），意味着它能够实现快速高效的开关动作，并降低对栅极驱动电路的要求，有助于简化系统设计并提升整体能效。

在接口与参数方面，STF20N60M2-EP采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装形式便于散热器安装并提供良好的电气隔离。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V @ 250A，提供了足够的噪声容限。器件最高结温（Tj）可达150°C，展现了其宽泛的工作温度范围和稳健的热性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STF20N60M2-EP非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主转换级、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能源效率，是工程师设计高效、紧凑型高压功率解决方案的理想选择。

• 型号:STF20N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF20N60M2-EP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF20N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，关键电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其核心优势在于MDmesh M2-EP技术带来的优异开关性能与低导通损耗的结合。器件在10V栅极驱动下，具有优化的低栅极电荷（Qg），这有助于实现高速开关并降低驱动损耗。同时，其高达150°C的最大结温确保了在恶劣热环境下的稳定运行。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动和工业电源系统效率与可靠性的关键元件。