STB9NK70ZT4

STB9NK70ZT4是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计目标是在严苛的高压开关应用中提供可靠的性能，同时兼顾开关效率与热管理能力。

该器件具备700V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，旨在实现较快的开关速度，从而降低开关损耗，这对于高频开关电源拓扑结构尤为重要。此外，其高达115W（Tc）的功率耗散能力和宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，确保了器件在持续高负载或环境温度变化下的稳定运行。

在电气接口与参数方面，STB9NK70ZT4标称连续漏极电流（Id）为7.5A（基于壳温条件），并支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值设计为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型的D2PAK封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和机械强度，便于在功率PCB板上进行自动化装配和焊接。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高压、高效和坚固的特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明镇流器、工业电机控制与驱动、UPS（不间断电源）以及家用电器中的功率转换模块。它为设计工程师在构建高效、紧凑且可靠的功率系统时，提供了一个经过验证的高性能半导体解决方案。

• 型号:STB9NK70ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB9NK70ZT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB9NK70ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心特性包括700V的高漏源击穿电压和7.5A的连续漏极电流能力，专为应对高压环境下的开关应用而设计。

其技术参数针对效率与可靠性进行了优化，例如较低的导通电阻有助于减少导通损耗，而优化的栅极电荷则有利于实现快速的开关切换，从而提升整体电源转换效率。器件支持宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）并具备良好的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用场景下的长期稳定运行。