STF13NM60N

STF13NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时优化了开关特性，使得器件在高压开关应用中能够兼顾效率与可靠性。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）能力，为高压离线式电源转换提供了坚实的电压与电流余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为360毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC，结合790pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量较小，有利于简化驱动电路设计并降低开关损耗，特别是在高频开关工作模式下优势明显。

在电气接口与参数方面，STF13NM60N采用标准的10V栅极驱动电压，栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全范围。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具有良好的噪声抑制能力。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，其引脚结构也便于在各类电源板卡上进行焊接和机械固定。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功耗为25W（Tc）。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取正品器件和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STF13NM60N非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器和LED驱动电源、工业电机驱动与辅助电源，以及UPS（不间断电源）和逆变器等能源转换系统。在这些应用中，它能够有效处理高压母线电压，实现快速、高效的功率开关，是工程师设计高性能、高可靠性电源产品的优选功率开关器件。

• 型号:STF13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为离线式电源转换提供了充足的电压与电流裕量。

器件的关键优势在于实现了优异的性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下仅为360毫欧，有助于显著降低通态损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值30nC）和输入电容（Ciss）优化了开关特性，使得开关速度快、驱动损耗低，有利于提升系统效率并简化驱动设计。器件采用TO-220FP通孔封装，工作结温范围宽（-55°C至150°C），确保了在各类电源应用中的高可靠性和稳健性。