STF14NM50N

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF14NM50N是一款采用先进MDmesh II技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时优化了内部电容参数，这对于提升开关电源等应用中的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC变换器中的高压母线环境。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下的典型导通电阻仅为320毫欧，这一低R_DS(on)值直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值低至27nC，结合适中的输入电容（C_iss），意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升高频开关性能。

在接口与参数层面，STF14NM50N采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好机械强度的同时，也兼顾了散热需求，其最大功耗可达25W（基于壳温）。器件支持高达12A的连续漏极电流，并拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，提供了充足的驱动安全裕度。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，该器件非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。在这些应用中，其低损耗特性有助于提升系统能效，满足日益严格的能效标准。

• 型号:STF14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF14NM50N是ST意法半导体基于MDmesh II技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（V_DSS）额定值与低至320毫欧（@10V，6A）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，为高压应用提供了优异的导通性能。

其设计同时注重开关效率，典型栅极电荷（Q_g）仅为27nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。器件采用TO-220FP封装，在25°C壳温下可支持12A的连续漏极电流，最大功耗为25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级功率转换应用中的坚固性和可靠性。