STF150N10F7

STF150N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心架构融合了优化的单元设计和先进的沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，从而在100V的漏源电压（Vdss）等级下，提供高达65A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

该MOSFET的一个显著特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和55A漏极电流条件下，典型值仅为4.2毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在117nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度并简化栅极驱动电路的设计。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动裕量。

在电气参数方面，STF150N10F7展现了全面的性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。尽管输入电容（Ciss）相对较高，但其优化的动态特性使其在硬开关拓扑中仍能保持可靠运行。该器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为35W（Tc），结合通孔安装的TO-220FP封装，提供了优异的散热性能和机械可靠性。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率管理场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器以及各类工业自动化设备中的功率开关模块。其设计旨在帮助工程师构建更高效、更紧凑且更可靠的电力电子系统。

• 型号:STF150N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF150N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件基于STripFET VII技术，在100V的漏源电压（Vdss）下，能够支持高达65A（Tc）的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为4.2毫欧（@55A, 10V），可显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大值117nC @10V）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等高效能功率转换应用的理想选择。