STPS15L30CDJFTR

作为一款高性能的肖特基二极管阵列，STPS15L30CDJFTR采用了意法半导体成熟的功率半导体工艺技术。其核心架构基于一对采用共阴极配置的肖特基势垒二极管，这种集成化设计将两个独立的整流单元封装在一个紧凑的8-PowerVDFN封装内，有效节省了PCB空间，并简化了电路布局。该器件采用了表面贴装型封装，具备优异的散热性能和机械可靠性，适用于自动化贴装生产。

该芯片的功能特点突出体现在其高效率与快速开关性能上。其正向压降（Vf）在7.5A的额定电流下典型值仅为480mV，这一低正向压降特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能源效率。同时，作为一款快速恢复二极管，其开关速度极快，反向恢复时间短，能有效抑制开关过程中的电压尖峰和振铃现象，这对于高频开关电源和DC-DC转换器的稳定运行至关重要。其反向漏电流在30V反向电压下控制在1mA水平，体现了良好的反向阻断特性。

在关键的电气参数方面，STPS15L30CDJFTR设定了明确的工作边界。其最大反向重复峰值电压（Vr）为30V，每只二极管的平均整流电流（Io）高达7.5A，能够处理可观的功率等级。器件的工作结温最高可达150°C，提供了宽裕的热设计余量，确保在恶劣环境下也能稳定工作。如需获取该产品的技术支持和供货保障，可以联系专业的ST授权代理。

基于上述技术特性，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）的次级侧整流、DC-DC buck/boost转换器的续流或输出整流、电机驱动电路中的续流保护，以及各类消费电子、工业设备和汽车电子系统中的极性保护和OR-ing（冗余电源）功能。其快速恢复能力使其在高频PWM电路中表现优异，是提升现代电源系统功率密度和可靠性的优选元件。

• 型号:STPS15L30CDJFTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SCHOTTKY 30V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:7.5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 7.5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 30 V
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STPS15L30CDJFTR是ST意法半导体推出的一款有源、表面贴装型肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，集成于8-PowerVDFN封装中，最大反向电压30V，每二极管可支持高达7.5A的平均整流电流。

其核心优势在于极低的导通损耗与快速的开关性能。在7.5A电流下，正向压降仅为480mV，能显著提升系统效率。同时，其具备快速恢复特性，能有效应对高频开关应用，反向漏电流在30V时仅为1mA。高达150°C的最大结温确保了其在高温环境下的可靠运行，适用于高密度电源设计。