STF15N95K5

STF15N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备950V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级开关电源、电机驱动等应用中常见的电压尖峰和应力，提供了充裕的设计余量和更高的系统可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为500毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的通态损耗，有助于减少发热并提升能效。同时，其栅极电荷（Qg）典型值低至40nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量更小，能够实现更快的开关速度并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。

在封装与接口方面，STF15N95K5采用TO-220FP通孔封装，这是一种广泛使用、散热性能良好的标准封装形式，便于在PCB上进行安装和通过散热器管理热耗散。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达12A，最大功耗为30W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的应力，增强了应用的鲁棒性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的综合表现，这款器件非常适合应用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、UPS（不间断电源）系统的功率转换部分，以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统效率、功率密度和长期运行稳定性。

• 型号:STF15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF15N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）和低至500毫欧的导通电阻（Rds(on)），在提供强大耐压能力的同时，显著降低了通态损耗。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极电荷（Qg，典型值40nC）以提升开关速度、降低驱动损耗，以及宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）。采用TO-220FP封装，支持12A的连续漏极电流，使其成为工业级电源、电机驱动等高要求功率转换设计的可靠选择。