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T830-800W

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V ISOWATT
原厂封装:封装:ISOWATT220AB
优势价格,T830-800W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T830-800W的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T830-800W是ST意法半导体推出的一款高性能双向可控硅(TRIAC)器件,采用无缓冲器设计,属于其经典的晶闸管产品系列。该器件构建于成熟的平面钝化技术之上,其核心是一个单片硅结构,通过精密的扩散工艺形成两个反向并联的晶闸管单元,实现了对交流电的双向控制。这种架构确保了在交流正弦波的正负半周内都能被可靠触发和导通,为交流负载的相位控制或开关操作提供了坚实的基础。其内部结构经过优化,旨在提供稳健的静态和动态性能,特别是在高电压环境下保持稳定。

在功能特性上,800V的断态重复峰值电压(VDRM是其最突出的特点之一,这使其能够从容应对工业电网中常见的电压波动和瞬态过压,为电机、加热器等感性或阻性负载提供高级别的保护。器件具备8A的有效值通态电流(IT(RMS)能力,足以驱动中等功率的交流设备。其触发特性经过精心调校,最大栅极触发电压(VGT)仅为1.3V,最大栅极触发电流(IGT)为30mA,这意味着它能够被微控制器或逻辑电路的输出信号轻松、可靠地驱动,简化了外围驱动电路的设计。此外,高达100A(50Hz)的非重复浪涌电流承受能力,使其能够抵御设备启动或故障时产生的瞬间大电流冲击。

该器件采用标准的ISOWATT220AB-3通孔封装,这种封装具有良好的机械强度和散热性能,便于在PCB板上进行可靠的焊接和安装。其工作结温范围宽达-40°C至125°C,确保了在苛刻的工业环境温度下也能稳定运行。对于需要高可靠性设计的工程师而言,通过专业的ST芯片代理获取原装正品和技术支持至关重要。尽管该型号目前已处于停产状态,但其设计理念和参数选型仍具有重要的参考价值。

基于其高耐压、强电流能力和稳健的触发特性,T830-800W非常适合于需要交流相位控制或简单开关的应用场景。典型应用包括工业交流电机调速、固态继电器(SSR)、交流电源开关、照明调光控制器以及家用电器(如风扇、取暖器)中的功率控制模块。在这些应用中,它充当了连接低电压控制电路与高电压交流负载之间的关键功率开关角色,实现了安全、高效的电能管理。

  • 型号:T830-800W
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOWATT220AB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V ISOWATT
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):100A,105A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):30 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):50 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:ISOWATT220AB-3
  • 供应商器件封装:ISOWATT220AB
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T830-800W是ST意法半导体生产的一款800V、8A双向可控硅,采用无缓冲器设计和ISOWATT220AB-3通孔封装。其核心优势在于高耐压与稳健的驱动特性,800V的断态电压提供了强大的过压耐受能力,而低至1.3V/30mA的栅极触发参数则确保了与微控制器的直接兼容性,简化了驱动电路设计。

该器件具备100A的非重复浪涌电流承受力和-40°C至125°C的宽工作结温范围,适用于存在电流冲击和温度波动的工业环境。这些特性使其成为交流相位控制、固态继电器及中等功率交流开关应用的理想选择,为电机控制、照明调光和电器功率管理提供了可靠的解决方案。

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