STF17N62K3

STF17N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP通孔封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了优异的导通损耗与开关性能平衡。

该器件具备620V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达15.5A，支持处理较大的功率等级。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、7.5A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为340毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在105nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STF17N62K3的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较宽的驱动安全范围。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件在高达150°C的结温（Tj）下仍可正常工作，并拥有40W（Tc）的功率耗散能力，展现了强大的热性能。其输入电容（Ciss）为3100pF，设计驱动电路时需予以考虑。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系ST中国代理获取相关服务。

得益于其高电压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS逆变器等场景。尤其是在需要高能效和紧凑设计的离线电源中，它能有效提升功率密度。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一款经典且性能得到验证的功率开关解决方案。

• 型号:STF17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF17N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括620V的漏源电压（Vdss）和15.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通特性上，在10V Vgs条件下导通电阻（Rds(on)）低至340毫欧（@7.5A），能显著降低导通损耗。同时，105nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能。器件支持高达150°C的结温工作，功率耗散为40W（Tc），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。