STF18N60DM2

意法半导体推出的STF18N60DM2是一款基于先进MDmesh DM2技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了栅极电荷和内部电容，这对于提升高频开关效率至关重要。得益于这种设计，器件在保持高阻断电压能力的同时，有效减少了开关过程中的能量损耗。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压(Vdss)和13A的连续漏极电流(Id)承载能力，为高压应用提供了坚实的保障。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、6A漏极电流条件下典型值仅为295毫欧，这意味着在导通状态下具有较低的通态损耗，有助于提升系统整体能效。此外，栅极电荷(Qg)最大值控制在20nC，结合800pF的输入电容(Ciss)，使得器件能够被快速驱动，减少开关延迟，特别适用于需要高频率操作的电路拓扑。

在电气接口与参数方面，STF18N60DM2采用标准的10V驱动电压，栅源电压(Vgs)最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压(Vgs(th))最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用通孔安装的TO-220FP封装，这种封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了机械强度，其最大功率耗散为25W。宽广的结温工作范围从-55°C延伸至150°C，保证了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高性能指标，STF18N60DM2非常适合于开关电源(SMPS)的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）以及高效照明镇流器等应用场景。在这些领域中，其对效率、功率密度和可靠性的高要求，都能通过该器件优异的开关特性与低导通损耗得到有效满足。

• 型号:STF18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF18N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，核心特性包括600V的漏源电压(Vdss)和13A的连续漏极电流(Id)额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至295毫欧(@6A)，有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷(Qg)最大值仅为20nC(@10V)，确保了快速开关能力，有利于提升系统频率和效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业能源系统中高效功率转换的理想选择。