STF19NM50N

STF19NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。得益于这种架构，器件在高压工作条件下依然能维持优异的动态性能与可靠性。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高功率应用中稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、7A电流条件下典型值仅为250毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC，结合1000pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，能有效降低开关损耗并提升系统工作频率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了较强的驱动鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术资料。

在电气参数方面，STF19NM50N在25°C管壳温度下的最大功率耗散为30W，其结温（TJ）最高可工作至150°C，展现了良好的热性能。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备典型的增强型MOSFET特性，易于驱动控制。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于通过外部散热器进行高效的热管理，非常适合在紧凑空间内处理可观的功率等级。

基于其高压、低损耗和高开关频率的特性，STF19NM50N非常适用于要求高效率和高功率密度的开关模式电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器和反激式转换器。它也是电机驱动、工业逆变器、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等应用中的理想功率开关选择，能够帮助设计工程师优化系统能效，提升产品可靠性。

• 型号:STF19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF19NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气规格包括500V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至250毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大34nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有利于提升系统工作效率和频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能转换系统的可靠选择。