STF20NM60D

STF20NM60D是ST意法半导体基于其先进的FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和创新的工艺技术，有效降低了单位面积下的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的坚固性与可靠性。这种架构使其在关断时能够承受高达600V的漏源电压，为系统提供了宽裕的安全裕量。

在功能特性方面，该器件在25°C壳温条件下可支持高达20A的连续漏极电流，并展现出优异的开关性能。其导通电阻在10A电流、10V栅极驱动电压下典型值仅为290毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷最大值控制在37nC，结合1300pF的输入电容，意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压最大可承受±30V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

从接口与参数来看，STF20NM60D采用通孔安装的TO-220FP封装，这是一种广泛使用且散热性能良好的封装形式，其最大功率耗散能力为45W（壳温条件下）。器件的阈值电压典型值较低，有助于简化驱动电路设计。其宽广的工作结温范围覆盖-65°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借600V的耐压能力和20A的电流处理能力，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）中，例如服务器电源、通信电源的PFC（功率因数校正）和DC-DC转换级。它也常被用于电机驱动控制、工业逆变器以及不间断电源（UPS）等系统的功率开关部分，其快速开关特性有助于提升整体系统的动态响应和能效。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STF20NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF20NM60D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF20NM60D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括600V的漏源击穿电压和20A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至290毫欧，配合仅37nC的栅极电荷，有效降低了传导与开关损耗。这些特性使其在追求高效率的开关电源拓扑，如PFC和DC-DC转换器中，表现出色。器件工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠运行。