STB30N80K5

STB30N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）效应，旨在显著降低单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G）。这种架构的核心优势在于平衡了高压阻断能力与开关性能之间的矛盾，通过精细的电荷平衡技术，使得在800V的高漏源电压（V_DSS）下，依然能保持优异的动态特性。

得益于MDmesh K5技术，该MOSFET展现出多项关键特性。其导通电阻最大值仅为180mΩ（测试条件为12A，10V），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。同时，栅极总电荷（Q_G）典型值低至43nC（@10V），结合±30V的宽栅源电压（V_GS）耐受范围，意味着驱动电路的设计更为简化，开关速度更快，开关损耗得以有效控制。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）25°C时可达24A，最大功率耗散为250W，确保了器件在高温、高功率应用下的可靠运行。

在电气参数与物理接口方面，STB30N80K5提供了稳健的性能边界。其阈值电压V_GS(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（C_iss）在100V条件下最大为1530pF，与低栅极电荷共同优化了开关行为。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化贴装生产。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能满足严苛环境下的应用需求。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理获取该产品及相关服务。

综合其高压、低损耗、快开关的特性，STB30N80K5非常适合于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）应用，如服务器电源、通信电源、工业电源及PC电源的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑中。此外，它在电机驱动、照明镇流器以及各类能量转换系统中，也能作为高效可靠的功率开关元件，助力设计者实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STB30N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB30N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高功率应用，其核心规格包括800V的漏源击穿电压（V_DSS）以及在壳温25°C下达24A的连续漏极电流（I_D）。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异结合。在10V驱动电压、12A电流条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为180毫欧，有效降低了导通损耗。同时，栅极总电荷（Q_G）低至43nC（@10V），这有助于提升开关速度，降低开关损耗，从而提升整体系统效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功率耗散能力为250W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。