STF22NM60ND

STF22NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其面向汽车电子等高可靠性领域的FDmesh II技术平台及Automotive, AEC-Q101产品系列。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其核心基于ST专有的Mesh Overlay工艺，该工艺通过优化单元结构和沟槽栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性与雪崩耐量，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，能够从容应对工业及汽车应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达17A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下典型值仅为220毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC（@10V），配合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，提升开关频率潜力。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在PCB上实现机械固定和高效的热管理，其最大功率耗散为30W（Tc）。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的驱动电压容限。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件结温（TJ）最高可工作至150°C，符合汽车级元器件对高温环境的严苛要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系ST中国代理获取相关服务。

得益于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STF22NM60ND非常适用于需要高效能功率开关解决方案的场合。典型应用包括汽车领域的电动助力转向（EPS）、油泵/水泵控制、LED前照灯驱动，以及工业应用中的开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、不间断电源（UPS）和电机驱动逆变器等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在其生命周期内为相关高要求应用提供了可靠的半导体解决方案。

• 型号:STF22NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF22NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF22NM60ND是ST意法半导体基于FDmesh II技术制造的N沟道功率MOSFET，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至220毫欧（典型值）的导通电阻，为高电压、大电流开关应用提供了优异的效率基础。

其电气参数经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为60nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。采用TO-220FP封装，支持通孔安装，便于散热设计，最高结温可达150°C，满足汽车及工业环境对高温可靠性的严格要求。这些特性使其成为汽车电子和工业电源系统中高性能功率开关的理想选择。