STF23N80K5

STF23N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh K5系列功率MOSFET中的一员，采用先进的垂直沟槽栅极技术。该器件基于N沟道设计，其核心优势在于通过优化的单元结构和外延层工艺，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构使得芯片在开关过程中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力与开关尖峰，提供宽裕的安全裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为280毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着在开关频率较高的应用中，所需的驱动功率更小，开关速度更快，有助于提升系统整体效率。

在电气参数与物理接口上，该器件在25°C壳温（Tc）下可支持高达16A的连续漏极电流，最大功率耗散为35W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。封装采用TO-220FP，这是一种经典的绝缘型通孔封装，其背部金属片与内部芯片绝缘，方便安装散热器而无需额外的绝缘垫片，简化了热管理设计并提升了系统可靠性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STF23N80K5非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）领域，例如服务器电源、通信电源、PC电源以及大功率适配器中的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑。此外，在照明驱动、电机控制和不间断电源（UPS）等工业应用中，它也是实现高效能量转换的理想选择。

• 型号:STF23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF23N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至280毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于其先进的垂直沟槽技术，旨在最大限度地降低传导损耗。

其电气参数针对高效率开关应用进行了优化，包括16A的连续漏极电流能力以及仅33nC的低栅极电荷（Qg），后者有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件采用TO-220FP绝缘封装，便于散热器安装，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。