STF25N60M2-EP

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF25N60M2-EP是一款基于先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用了优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与出色的开关性能平衡。其内部架构通过精心设计的单元布局和工艺优化，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升高频开关应用中的效率至关重要。这种设计确保了器件在高压环境下仍能保持快速、干净的开关特性，同时将传导损耗和开关损耗控制在较低水平。

该MOSFET的核心优势体现在其600V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力上，使其能够从容应对工业级功率转换的严苛要求。其导通电阻在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为188毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被大幅降低。此外，极低的栅极电荷（29nC @ 10V）简化了驱动电路设计，降低了对栅极驱动器的要求，有助于实现更高的开关频率和更紧凑的系统设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在极端环境下的可靠性与稳定性，满足高可靠性应用的需求。

在电气参数方面，STF25N60M2-EP提供了优异的静态与动态特性组合。其阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为4.75V，提供了良好的噪声抑制能力。最大栅源电压（Vgs）支持±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。TO-220FP封装形式兼顾了通孔安装的便利性与有效的散热性能，最大功耗可达30W（Tc）。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过正规的ST授权代理进行采购是保障产品来源与后续服务的关键。

凭借其高压、大电流、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高效照明系统的电子镇流器等。其稳健的性能使其成为工程师在开发工业自动化、能源基础设施和高端消费类电源产品时的优选功率开关解决方案。

• 型号:STF25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF25N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件设计用于高压、高开关频率应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（188mΩ @ 9A, 10V）与低栅极电荷（29nC @ 10V）的优异结合。这种特性组合能有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的高可靠性，适用于要求长期稳定运行的工业级电源与驱动系统。