STF130N10F3

STF130N10F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP封装，为通孔安装提供了便利，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。内部架构通过优化的单元结构和沟槽栅技术，显著降低了单位面积的导通电阻，从而在给定的芯片尺寸下实现了更高的电流处理能力，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，在23A电流条件下最大值仅为9.6毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用的效率。高达100V的漏源击穿电压（Vdss）和46A（Tc）的连续漏极电流能力，使其能够胜任中高功率级别的电路拓扑。

在电气参数方面，STF130N10F3展现了宽泛的工作适应性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，结合TO-220FP封装35W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在苛刻的热环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借上述技术特点，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、以及DC-DC转换器中的功率开关。其稳健的设计使其成为工业自动化、消费类电子电源适配器、不间断电源（UPS）等系统中功率管理部分的可靠选择。

• 型号:STF130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF130N10F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理能力与开关效率。

其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及在壳温（Tc）条件下高达46A的连续漏极电流。关键性能优势体现在极低的导通电阻，在10V Vgs、23A Id条件下最大仅为9.6毫欧，以及优化的栅极电荷（Qg最大57nC @10V），共同确保了较低的传导与开关损耗。器件结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求严苛的功率转换与电机控制应用。