STF25NM60N

STF25NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与高开关速度的出色平衡。其核心在于通过改进的单元几何结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（RDS(on)），同时有效控制了寄生电容，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值达到21A，配合160毫欧（典型值）的低导通电阻，能够显著降低导通状态下的功率损耗。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC，这有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

在电气参数方面，STF25NM60N展现了良好的性能均衡性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了足够的噪声容限。输入电容（Ciss）典型值较低，有利于实现快速的开关瞬态响应。器件采用TO-220FP绝缘封装，这种封装形式不仅提供了良好的通孔安装机械强度，其绝缘特性也省去了额外的绝缘垫片，简化了散热器安装并提升了系统的绝缘安全性。其最大结温（Tj）为150°C，结合40W（Tc）的功率耗散能力，为系统热设计提供了充裕的余量。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，STF25NM60N非常适用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用领域包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动以及不间断电源（UPS）的功率转换级。尽管该产品已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的可靠性，使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STF25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF25NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和21A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优化结合，典型导通电阻低至160毫欧，同时栅极电荷（Qg）控制在84nC，这有助于在电源转换系统中同时降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。这些特性使其成为开关电源、功率因数校正及电机控制等领域的理想功率开关选择。