STF26NM60N

STF26NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时优化了开关性能，为高效率、高频率的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压高达600V，能够从容应对工业级AC-DC电源及电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流可达20A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、10A漏极电流的典型工作点下，其导通电阻最大值仅为165毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其最大栅极电荷Qg仅为60nC，较低的开关损耗使其尤其适合工作在高频开关场景中，有助于缩小磁性元件的体积。

在接口与参数方面，STF26NM60N采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装形式，便于在PCB上实现稳固的机械固定和高效的热管理，其最大功耗为35W（Tc）。器件的栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力，而±30V的最大栅源电压则为驱动电路的设计提供了充足的裕量。其最高结温为150°C，宽泛的工作温度范围保障了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、大电流、低损耗的特性组合，该器件广泛应用于各类中高功率的开关电源设计，如服务器电源、通信电源、工业电源的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑。同时，它也是电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等应用中功率开关部分的理想选择，能够有效提升系统能效和功率密度，满足现代电子设备对高效率和高可靠性的持续追求。

• 型号:STF26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF26NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF26NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压和20A连续漏极电流，专为要求严苛的功率转换应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至165毫欧@10A，有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷仅为60nC，有助于实现高速开关并减少开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和PFC电路等高可靠性、高效率应用场景中的优选功率开关解决方案。