STF26NM60ND

STF26NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代FDmesh技术，该技术通过精细的单元结构和创新的工艺处理，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性与雪崩耐量，为高压开关应用提供了坚实的性能基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC变换及电机驱动中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达21A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、10.5A测试条件下典型值仅为175毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在54.6nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计，并提升开关频率潜力。

器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和热性能，便于通过散热器将内部产生的热量高效导出，其最大功率耗散为35W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了设计裕度和可靠性保障。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关技术支持和产品信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装，STF26NM60ND非常适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高频焊接设备等。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它仍代表了一个高性能的技术解决方案。

• 型号:STF26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF26NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与21A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至175毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，54.6nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其非常适合用于要求高效率与可靠性的功率转换领域，如开关电源、电机驱动和工业逆变系统。