STB35N65M5

STB35N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时优化了内部电容参数，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动下的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，最大值为98mΩ（测试条件：I_D=13.5A, V_GS=10V），这直接转化为更低的导通损耗和更优的热性能。其栅极电荷（Q_G）典型值也得到良好控制，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。此外，其最高结温（T_J）可达150°C，配合D2PAK封装良好的散热能力，确保了器件在高温环境下的稳定运行。

在电气参数上，STB35N65M5的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）为25°C时可达27A，最大栅源电压（V_GS）为±25V，提供了宽泛的安全工作区。其输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，与低栅极电荷共同作用，使得开关过程更为迅速且可控。这些特性使得该器件能够有效处理较高的功率等级，典型功耗可达160W（T_C）。对于需要可靠供应链和本地技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高性能与可靠性，此MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括工业级开关电源、服务器/通信电源的PFC级和DC-DC变换器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及照明领域的电子镇流器等。其表面贴装型D2PAK封装兼容自动化生产，并有利于PCB的散热设计，是工程师在开发新一代高效能功率转换系统时的优选功率开关器件。

• 型号:STB35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB35N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用先进的半导体技术，提供了650V的高耐压和27A（T_C=25°C）的连续电流处理能力，专为高效、高可靠性的功率转换应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V栅极驱动下最大值仅为98mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）和电容特性有助于实现快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装工艺，并具备160W（T_C）的功率耗散能力和高达150°C的工作结温，确保了在严苛环境下的稳定运行和出色的热管理性能。