STD6N80K5

STD6N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在满足高效率、高可靠性的开关应用需求，为电源转换和电机控制等系统提供坚实的功率开关基础。

该器件具备多项突出的电气特性。高达800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流输入电压波动，并为设计留出充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.5A，结合优化的热性能封装，能够处理可观的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2A电流条件下典型值仅为1.6欧姆，这一低导通损耗特性直接有助于提升系统整体效率，减少发热。同时，最大栅极电荷（Qg）低至7.5nC，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，有助于简化驱动电路设计并提升频率。

在接口与参数方面，STD6N80K5采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达85W。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了应用的鲁棒性。阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和高开关性能的组合，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等领域。在诸如适配器、电视电源、LED驱动和家用电器电机控制等场景中，STD6N80K5能够帮助设计工程师实现高功率密度和高效率的设计目标，同时保证系统的长期可靠性。

• 型号:STD6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD6N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心参数针对高效开关应用进行了优化。

其关键卖点在于800V的高漏源电压和4.5A的连续漏极电流能力，为电源设计提供了坚实的耐压和载流基础。同时，1.6欧姆的低导通电阻与仅7.5nC的低栅极电荷形成了优异组合，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效和开关频率。这些特性使其成为离线式电源、PFC电路及电机驱动等应用的理想功率开关选择。