STFI20N65M5

STFI20N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAKFP（TO-281）封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和栅极设计，在650V的漏源击穿电压（Vdss）下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这是评估高压MOSFET开关性能的关键指标。

在功能特性上，该器件在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达18A的连续漏极电流（Id），最大功率耗散为130W。其导通电阻典型值在10V驱动电压、9A漏极电流下仅为190毫欧，这有助于显著降低导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），使得开关过程更为迅速，能有效减少开关损耗，提升系统整体能效。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。该器件结温（Tj）最高可工作于150°C，具备可靠的高温运行能力。

从接口与参数来看，其电气特性完全围绕降低损耗和提升可靠性构建。低Rds(on)直接转化为更低的导通压降和发热，而优化的Qg和Ciss则意味着对栅极驱动电路的要求更为友好，有助于简化驱动设计并抑制开关振铃。这些参数共同指向了高效率与高功率密度的设计目标。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术资料、样品支持与供货信息。

该MOSFET典型的应用场景包括工业电源、服务器电源、通信电源等中高功率的AC-DC开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和DC-DC变换级，以及电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等领域的功率开关单元。其优异的性能平衡使其非常适合用于追求高效率和紧凑设计的硬开关和软开关拓扑中，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类解决方案中仍具有重要的参考价值。

• 型号:STFI20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh V技术，封装形式为I2PAKFP（TO-281）。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）与18A连续漏极电流（Id）的耐压与载流能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其关键电气参数经过精心优化，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为190毫欧（@9A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值被控制在45nC（@10V），这有助于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持最高150°C的结温（Tj）工作，确保了在严苛环境下的可靠性。